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    球探网即时比分手机版 www.epekb.com 发布时间:2019-10-10 浏览次数:0

    产品介绍

    一、设备概述:
           PE-ALD等离子体增强原子层沉积系统是专门为特殊应用领域的科学研究与工业开发用户而设计的单片沉积系统,系统电气完全符合CE标准;该系统扩展了普通原子层沉积系统对前驱体源的选择范围、提高薄膜沉积速率和降低沉积温度,广泛应用于对温度敏感材料和柔性衬底上薄膜的沉积。

    二、产品优势:
          先进的软件控制系统:系统集工艺配方、参数设置、权限设定、互锁报警、状态监控等功能于一体.

    三、技术指标:
           基片尺寸 8英寸及以下
       基片加热温度 室温~500℃,控制精度±0.1℃
       前驱体输运系统 标准3路前驱体管路,可选配
       前驱体管路温度 室温~200℃,控制精度±0.1℃
       源瓶加热温度 室温~200℃,控制精度±0.1℃
        ALD阀 Swagelok快速高温ALD专用阀
        本底真空 <5*10-5Torr,进口防腐泵
        载气系统 N2或者Ar
        生长模式 高速沉积模式和停留生长模式
        等离子体源 300W 感应耦合远程等离子体
        等离子体放电气源 标准3路,可选配
        控制系统 PLC+触摸屏或者显示器
        电源 50-60Hz, 220V/20A交流电源
        沉积非均匀性 非均匀性<±1%
        设备尺寸 1000mm x 750mm x 1600mm

    四、可沉积薄膜种类:
           单 质:Co, Cu, Ta, Ti, W, Ge, Pt, Ru, Ni, Fe…
       氮化物:TiN, SiN, AlN, TaN, ZrN, HfN, WN …
       氧化物:TiO2, HfO2, SiO2, ZnO, ZrO2, Al2O3, La2O3, SnO2…
       其它化合物:GaAs, AlP, InP, GaP, InAs, LaHfxOy, SrTiO3,SrTaO6…

    五、ALD应用实例:
           高K栅氧化层,存储容性电介质,铜互连中高深宽比扩散阻挡层,OLED无针孔钝化层,MEMS的高均匀镀膜,纳米多孔结构镀膜,特种光纤掺杂,太阳能电池,平板显示器,光学薄膜,其它各类特殊结构纳米薄膜
     

    商家资料

    公司名称 北京维意真空技术应用有限责任公司
    公司地址: 北京市大兴区旧桥路25号院
    公司电话: 010-67947887
    传真: 010-67947887
    公司简介: 公司名称(现用名):北京维意真空技术应用有限责任公司 公司名称(曾用名):北京科立方真空技术应用有限公司 覆盖区域:北京、天津、河北 北京维意真空技术应用有限责任公司,原名北京科立方真空技术应用有限公司,创立于2013年,位于中国·首都北京密云经济技术开发区,主体经营分为真空配件销售、真空设备定制、浅蓝纳米科技三个部分,是北京从事真空产品设计、制造、销售、维修、保养于一体的专业性的公司,公司拥有一支专业、优秀的产品技术工程师和维修技术工程师,具有丰富的行业经验,同时还与北京工业大学联合研发等离子体增强化学气相沉积系统,与北京交通大学联合研发原子层沉积系统,满足高校、研究所的教学、科研使用,同时减少相关进口设备的市场占有率,并力争创造外汇,打出中国创造的名牌! 我们的客户遍布北京各高校和研究院所、部分军工单位和电力试验所、各级的材料、物理、化学、纳米等研究领域尖端的实验室,期待您就是我们的下一位客户、朋友! 您的满意微笑是我们一直努力追求的经营目标! 技术创新、业务专业、服务诚信是我们一直遵循的经营理念! 我们热诚欢迎国内外先进的仪器制造商及科学工作者与我们联系开展各层面的合作,打造成一流的真空系统产品、等离子体增强化学气相沉积系统和原子层沉积系统供应商。
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